３ 【事業の内容】当社グループは、当社及び連結子会社７社で構成され、半導体製造装置の開発・製造・販売・保守サービスを中心にグローバルに事業活動を展開しております。当社グループは、半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、ビジネスユニットごとに分類して記載いたします。 (1）装置ビジネス当社グループでは、半導体の製造に使用する装置の製造及び販売を行っております。半導体の製造プロセスの概略図を（図-１）に示します。半導体は、シリコンウェーハ上に、回路を形成していく工程を繰り返して製造していきます。回路形成工程は、回路形成に必要な薄膜等を形成する成膜工程、成膜後に熱をかけて結晶サイズを揃える（アニール）等の熱処理工程、成膜上に回路を形成するパターニングを行うリソグラフィ工程、パターンに沿って膜を取り除くエッチング工程、各工程間でウェーハを洗浄する洗浄工程、各工程間での検査工程で構成されます。シリコンウェーハ上にこれらの工程を繰り返して回路を形成する製造工程を総称して前工程と呼んでおります。そして、前工程の工程ごとに高度な専用技術を要したさまざまな装置が使用されることで半導体が製造されます。当社グループでは、前工程における「成膜」工程の装置を主力製品として、また「熱処理」工程に用いられる装置の製造及び販売をしております。 図-１ 半導体製造前工程と主な当社グループ適応製品 「成膜」工程とは、シリコンウェーハの回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成する工程を指します。当社グループでは、その成膜工程の中でLP-CVD製品のほかに、ALD（注１）に対応した製品を提供しております。一方、「熱処理」工程とは、熱酸化（注２）膜を形成するプロセスや、成膜後に加熱して膜中の結晶サイズを揃える（アニール）プロセス、成膜後に注入した不純物を加熱して均一に拡散するプロセス、また、プラズマを用いて成膜後に膜質を改善する（トリートメント）プロセスなどを指します。当社グループでは、本工程に最適なプロセス技術にて装置提供を行っております。これらの工程は、シリコンウェーハの回路形成において重要な役割を担うことから、各装置に、高度な技術と品質の信頼性の高い製品提供が必要となります。 当社グループが装置メーカーとして取り組んでいる最も重要な課題に、デバイス構造の複雑化を原因とする成膜プロセスの生産性の低下があります。三次元（立体）構造になるとデバイスの構造がより深く、複雑になります。それにより成膜が必要な表面積が拡大し、ガスの移動距離が長くなり、成膜に要する時間が増加するため、生産性の課題が顕在化します。また、デバイス構造の複雑化に伴い、難易度の高い高品質成膜が要求されており、ALDのニーズが高まっております。当社グループは、このニーズに高難易度成膜と高生産性の両立できるバッチALD技術で、顧客の厳しい要求仕様に応えております。このバッチALD技術は、当社のコア技術による競合優位性の高い技術となっており、当社グループは高いシェアを持続しております。 顧客からのニーズが高まっているALDはサイクリックなプロセスであり、そのプロセスの中でガスの流入や流出、また膜質を維持するために副産物の除去を行うため時間を要するプロセスになってしまうことが大きな課題になっております。ALD技術とバッチの組み合わせによる補完関係を実現した当社グループのバッチALD技術は、高難易度成膜と高生産性の両立を可能とするものであり、生産性に関するALDの問題の論理的な解決策となります。 次に当社製品について以下にご紹介いたします。当社の主な製品であるバッチ成膜装置は、2025年のバッチALD対応装置市場において売上高世界シェア１位（出典：TechInsights Inc. “TI_ALD Tools_YEARLY” （April 2026））となっております。また、当社の枚葉プラズマトリートメント装置が属するPlasma Gate Modification Tools市場でも2025年の売上高世界シェア１位（出典: Gartner®, Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2025, Bob Johnson et al. Published 2 April 2026）（注３）となっております。 それぞれの製品についてご説明します。 ① バッチ成膜装置バッチ成膜装置とは、数十枚以上のシリコンウェーハを一括処理することを可能とした成膜装置であり、高生産性が特徴となります。バッチ成膜装置には、高生産性を追究しウェーハ最大二百枚の一括処理に対応した「ラージバッチ」プラットフォーム（図-２ 主要製品概要参照）と、複雑化する半導体構造への難易度が高い高品質成膜に対応し、ウェーハ最大百枚の一括処理に対応した「ミニバッチ」プラットフォームがあります。このバッチ成膜装置のプラットフォームに使途に応じた反応炉をセットし、最適なプロセスを実現しております。「成膜」工程では、「LP-CVD」「ALD」など、「熱処理」工程では「熱酸化」「アニール」「拡散」などに適応しております。なお、バッチ成膜装置の主力製品であるAdvancedAce®シリーズ及びTSURUGI® 剱®シリーズの概要は下記のとおりです。・AdvancedAce®シリーズ：当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、高品質な成膜性能と高生産性を実現し、バッチCVD技術とバッチALD技術に対応したサーマルプロセス装置。・TSURUGI® 剱®シリーズ：次世代デバイス、特に三次元（立体）デバイスに向けた成膜品質向上の市場ニーズにこたえるため、新反応炉を採用した成膜処理技術向上により、最新のバッチALD技術に対応し高品質・高生産性を備えたプロセス提供を可能にしたサーマルプロセス装置。 ② 枚葉プラズマトリートメント（膜質改善）装置枚葉プラズマトリートメント装置は、成膜後にプラズマや加熱により膜中の不純物の除去や粒子を安定させることで膜質を改善させることを目的とした装置です。半導体デバイスの微細化、複雑化に伴い低温環境での成膜需要が高まる中で、低温環境でも膜質を維持するソリューションとして需要が拡大しております。当社グループで製造・販売している枚葉プラズマトリートメント装置の「MARORA®」は複雑な半導体形状に対しても高い生産性と品質でのトリートメントが可能で、顧客からの需要を集めており、バッチ成膜装置に次ぐ柱として今後も成長させていく計画です。 （注１）当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでおります。（注２）シリコン基板表面から内部にかけて高純度の酸化をする方法。熱酸化には、ドライ酸化、ウエット酸化などいくつかの方法があります。（注３）GARTNERは、Gartner Inc.または関連会社の米国およびその他の国における登録商標およびサービスマークであり、同社の許可に基づいて使用しています。All rights reserved. Gartnerは、Gartnerリサーチの発行物に掲載された特定のベンダー、製品またはサービスを推奨するものではありません。また、最高のレーティング又はその他の評価を得たベンダーのみを選択するようにテクノロジーユーザーに助言するものではありません。Gartnerリサーチの発行物は、Gartnerリサーチの見解を表したものであり、事実を表現したものではありません。Gartnerは、明示または黙示を問わず、本リサーチの商品性や特定目的への適合性を含め、一切の責任を負うものではありません。本書に記載するGartnerのコンテント (以下「Gartnerコンテント」) は、Gartnerシンジケート・サブスクリプション・サービスの一部としてGartner, Inc.(以下「Gartner」)が発行したリサーチ・オピニオンまたは見解を表すものであり、事実を述べているものではありません。Gartnerコンテントの内容はいずれも、そのコンテントが発行された当時の内容であり、本書が発行された日の内容ではありません。また、Gartnerコンテントに記載されている見解は予告なく変更されることがあります。 図-２ 主要製品概要 (2）サービスビジネス当社グループでは、当社グループが製造・販売する半導体製造装置において部品販売・保守サービスをはじめとするアフターサービスの提供を行っております。半導体生産工場においては、半導体製造装置が年中無休で稼働しており、半導体製造装置に対し安定的な稼働とともに、耐久性が高い製品の提供が要求されております。当社グループにおいては、これら品質を担保した製品の提供を行っておりますが、これに加え、迅速、かつ、的確にアフターサービスを提供する体制が求められております。当社グループでは、このような顧客の要望に応えるべく、より顧客の製造拠点に近い場所にて、サービス拠点を設置したうえで、優秀なエンジニアを配置するとともに、交換パーツを配備することで、装置トラブルに迅速、かつ、的確に対応可能な体制を整えております。 取り扱いサービス（役務提供を含む） ①消耗部品等の部品販売、保守サービス、有償修理（現地修理/ユニット引取り修理/オーバーホール等） ②装置の移設・改造（プロセス変更/アップグレード等） ③ウェーハサイ

３ 【事業等のリスク】本書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち、経営者が当社グループの財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況に重要な影響を与える可能性があると認識している主なリスク、リスク顕在化の可能性、顕在化の時期、連結業績への影響度及びリスクへの対応は、以下のとおりです。なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであり、将来において発生の可能性がある全てのリスクを網羅するものではありません。 リスク項目マップ分類リスク項目顕在化の可能性顕在化の時期影響度政治・経済の動向マクロ経済環境中中期～長期大市場環境の動向市場ニーズ中中期～長期大他社との競合等中中期～長期大主要顧客への依存中中期～長期大海外事業中中期～長期大研究開発低長期大株式市場の動向Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.グループとの関係低短期小災害・パンデミック、事件・事故大規模災害等中長期大感染症の世界的流行中長期大サプライチェーン調達・生産高中期～長期大品質問題製造物・品質低中期大知的財産知的財産中中期～長期中訴訟訴訟等低中期～長期小環境環境対応低中期～長期中人事管理人材高短期～中期中コンプライアンスコンプライアンス等低中期中情報セキュリティ情報セキュリティ高中期～長期大財務・税務為替中特定時期なし小金利の変動中特定時期なし中のれん及びその他の無形資産低特定時期なし大 (1）マクロ経済環境（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）当社グループはグローバルに事業を展開しており、当社グループの業績は国内外の景気、経済動向、社会情勢及び地政学的リスク、各国の関税政策等に影響されます。例えば、半導体デバイスの急激な需要の増減や需給バランスの悪化によって、半導体デバイスメーカーの設備投資計画に大きな変更が生じれば、当社グループの調達、製造コスト、販売の計画に影響が生じる可能性があります。また、国際的な貿易摩擦や製品の国産化施策に伴う関税、貿易障壁、国産メーカー支援強化等の政策により、当社グループにおける製造コストの上昇、国を跨いだ輸送の遅延、販売機会の変化等が生じる可能性があります。また、ロシア・ウクライナ問題の長期化、世界的なインフレの長期化、インフレ抑制のための金利上昇、新興国の成長鈍化、中台関係の悪化、中東及び北朝鮮での地政学的リスクの増大等により世界経済が低迷する場合、当社グループの主要な販売地域にも影響を及ぼす可能性があります。加えて、「 (10）感染症の世界的流行」に記載のとおり、感染症の世界的な感染拡大等が再度発生した場合、消費者行動及び事業活動を含む世界全体の経済活動に影響が生じる可能性があります。当社グループは、マクロ経済環境について注視しながら事業運営を進めていく方針ですが、上記のような影響が生じた場合、当社グループの事業や経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。2023年３月期には、2022年10月７日付米国輸出管理規則（EAR）（注１）の改正公布により、米国製半導体製造装置について中国の特定の先端半導体メーカーへの輸出が禁止され、その後複数の中国の半導体メーカーが米国政府の発行する制裁リスト（Entity List）に掲載されました。また、日本においても、全世界向けを対象とした先端半導体製造装置の輸出規制に関する改正法令が2023年７月23日に施行されました。このような米中貿易摩擦は日本や他国にも波及し、中国の半導体デバイスメーカーのみならず他の大手半導体デバイスメーカーの投資計画に影響を及ぼすなど、今後の半導体業界にとっての大きなリスクであると懸念されます。（注１）：EAR=Export Administration Regulations（輸出管理規則） （リスクへの対応）当社グループは、事業等のリスクについて、社長執行役員を委員長とするサステナビリティ委員会において総合的に管理・検討する体制のもと、各部門が必要な対応を行い、定期的に、また必要に応じて取締役会へ報告、審議する管理体制を整備しております。また、当該リスクを軽減するため、市場動向や競合状況の調査・分析を行い、お客様との対話を通じてニーズを把握し、そのニーズに応えることのできる付加価値の高い製品・サービスを提供し続けるべく研究開発をはじめとする事業活動を推進しております。加えて、半導体デバイス別および地域別の売上構成バランスをより適正化すべく努めてまいります。 (2）市場ニーズ（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）半導体業界は技術革新が激しく、技術の変化により市場が大幅に成長する反面、需要と供給のギャップが急激に広がり供給過剰となり、半導体製品の値崩れ及び設備投資の抑制が発生することがあります。半導体デバイス市場は事業構造上、不安定な性質を有しているため、将来においても市況が低迷する可能性があります。半導体デバイス市場と連動する半導体製造装置市場もこの不安定な市況を避けることは難しく、半導体市況に連動し当社グループの事業や経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。また、幅広い用途で半導体の利用が進んでおり、半導体を利用した新しい製品や技術の導入時期、消費者の嗜好の変化、業界の動向等が、半導体の需要や半導体メーカーの設備投資、研究開発計画に与える影響は大きくなっていることから、半導体の市場動向の予測は複雑化しております。３か月に１回程度更新される民間調査機関（TechInsights等）にて、WFE（Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場）CY年度予測が発表されます。市場動向から下方修正、又はマイナス成長予測に転じる場合があり、その予測どおりに主要顧客投資計画の見直しからの後ろ倒しや縮小・中止などが発生した場合には、当社業績に影響を与える可能性が生じます。また、主要顧客における予測していない事故や事態、半導体デバイス市場の想定を超える需要の悪化により当社グループの事業が影響を受ける可能性があるだけではなく、予測を上回る半導体の需要増に応じた半導体製造装置の需要の増加に対応できず、当社グループが市場の好況の恩恵を十分に享受できず、主要顧客との取引関係にも影響を与える可能性があります。また、半導体製造装置メーカーの変更は、一般的にコストが高く、顧客である半導体メーカーが一度特定の半導体製造装置メーカーの装置を選択すると、当該半導体メーカーは同じ半導体製造装置メーカーの製品を利用し続ける傾向にあります。他の半導体製造装置メーカーの製品を利用している顧客が当社グループ製品に乗り換えることは必ずしも容易ではないため、他の半導体製造装置メーカーの製品を使用している潜在的な顧客に当社グループ製品を販売することができない場合、当社グループの売上及び市場シェアの拡大に影響を及ぼす可能性があります。 （リスクへの対応）「 （1）マクロ経済環境」におけるリスクへの対応と同様です。 (3）他社との競合等（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）当社製品は、他社装置と部分的に競合し、複数の競合メーカーとの競争関係にあります。当社グループでは、高性能・高生産性半導体製造装置で優位性を維持するとともに、当社のALD（注１）成膜技術、プラズマトリートメント技術、プリカーサ（成膜に使用するガス）開発や、排気技術の開発など、技術開発における優位性の維持に努めておりますが、技術革新、生産能力の拡充や生産性の改善等の実現が他社に遅れ、販売価格の前提となるコスト、性能、生産量が競合他社に劣る場合や、新たな競合メーカーが台頭した場合、受注高の減少及びシェアの低下により売上及び収益が悪化することにより、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。 （リスクへの対応）「 （1）マクロ経済環境」におけるリスクへの対応と同様です。（注１）当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。 (4）主要顧客への依存（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）半導体業界は、近年の激しい景気変動や技術競争から再編が進んでおり、プレイヤーが集約された市場環境となっております。当社グループにおいても、「４ 経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析 (1）経営成績等の状況の概要 ③ 生産、受注及び販売の実績」に記載のとおり、主要顧客に対する売上収益が連結売上収益の相当程度を占めております。当社グループは、リスクを軽減するため、主たる経営数値は当然のこととして、各種の経営指標についても継続的に管理するとともに、リスクをふまえた一定の目標に基づき適切な改善を行ってまいります。また、取引先に対し定期的な信用調査や信用リスクに応じた取引限度額を設定するなど、信用リスクの管理のための施策を講じておりますが、主要顧客各社の事業方針の変更、取引条件の変更、技術革新、業界動向、各国の関税政策、地政学的影響などの理由により取引量が縮小した場合や販売価格低下の圧力が強まった等の場合には、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。また、当社グループが売掛債権を有する主要顧客の財政状態が悪化し、期限どおりの支払いを得られない場合には、当社グループの

４ 【経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析】 (1）経営成績等の状況の概要当社グループ（当社及び連結子会社）の財政状態、経営成績及びキャッシュ・フロー（以下、「経営成績等」という。）の状況の概要は次のとおりであります。 ① 財政状態及び経営成績の状況ａ．財政状態 当連結会計年度末の資産合計は、3,597億円となり、前連結会計年度末に比べ181億円増加しました。主な内容として、現金及び現金同等物は下記 ②キャッシュ・フローの状況に記載のとおり118億円増加しました。有形固定資産は、米国デモセンター設立に伴う投資等により71億円増加しました。一方で、営業債権及びその他の債権は49億円減少、無形資産は償却等により32億円減少しました。 当連結会計年度末の負債合計は、1,404億円となり、前連結会計年度末に比べ50億円減少しました。主な内容として、借入金は返済により114億円、未払法人所得税は支払い等により63億円減少しました。一方で、改造案件に伴う前受金の受領等により、契約負債は124億円増加しました。 当連結会計年度末の資本は2,193億円となり、前連結会計年度末に比べ231億円増加しました。主な内容として、親会社の所有者に帰属する当期利益の計上等により利益剰余金が209億円増加し、自己株式の処分により資本の控除項目である自己株式が20億円減少しました。 ｂ．経営成績 当連結会計年度における世界経済は、緩やかな成長基調にあるものの、欧州や中東における地政学リスクの長期化、中国経済の低迷、新たな輸出規制や関税政策による各国貿易摩擦への影響、物価上昇による消費の下振れ懸念など、依然として先行きに対する不透明感が続いております。 当社グループを取り巻く事業環境は、前期に引き続きAI関連の需要が半導体デバイスメーカーの投資を牽引しており、特に生成AIの活用拡大に伴うデータセンター用サーバー向けの需要が拡大しております。これを受けて、半導体デバイス市場では、生成AI用途の高性能Logic、DRAMを中心にデバイスの世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資が高水準で推移し、NANDでも主にデバイスの世代交代に向けた設備投資が進んでおります。一方で、スマートフォンやパソコン等の民生電子機器向け及び自動車・産業機器向けの需要回復は緩やかであり、AI関連とは異なった需要の動きになっております。中長期的には、民生電子機器の需要回復・拡大に加え、AI、IoT、DX等の拡がりによるデータセンターのさらなる拡充やグリーントランスフォーメーションへの投資等により、半導体関連市場は大きな成長が見込まれております。 こうした状況において、当連結会計年度における当社グループの売上収益は、前連結会計年度と比べて、NAND向け装置販売に加え、主にDRAM向けのアップグレード改造（新規装置の代替として既存装置の性能や機能を向上させる改造）が伸長しました。一方で、前期に活発だった中国でのDRAM向け設備投資が落ちついた影響により、全体の売上収益は2,351億円(前連結会計年度比1.6％減)となりました。また、生産工場の稼働率低下や製品構成の変化、将来に向けた研究開発などの先行投資の影響により、利益についても前連結会計年度と比べて減少し、営業利益は418億円（同18.5％減）、税引前利益は407億円(同19.8％減)、親会社の所有者に帰属する当期利益は301億円(同16.4％減)と、減収減益となりました。 なお、当社グループは、半導体製造装置事業による単一セグメントであるため、セグメント情報の記載を省略しております。 ② キャッシュ・フローの状況 当連結会計年度末における現金及び現金同等物は565億円となり、前連結会計年度末の448億円と比べて118億円の増加となりました。各キャッシュ・フローの状況とその要因は次のとおりであります。 （営業活動によるキャッシュ・フロー） 営業活動によるキャッシュ・フローは、前期に比べ103億円増加し、488億円の収入となりました。主なキャッシュ・フローの増加要因としては、売上収益増加に伴う当期利益の計上301億円によるものであります。一方で主な減少要因は、法人所得税の支払い189億円によるものであります。 （投資活動によるキャッシュ・フロー） 投資活動によるキャッシュ・フローは、主として有形固定資産の取得による支出等により、170億円の支出となりました。 （財務活動によるキャッシュ・フロー） 財務活動によるキャッシュ・フローは、主として長期借入金の返済、配当金の支払いにより、215億円の支出となりました。 ③ 生産、受注及び販売の実績ａ．生産実績当社グループは半導体製造装置事業のみの単一セグメントであり、当連結会計年度の生産実績は次のとおりであります。セグメントの名称当連結会計年度（自 2025年４月１日至 2026年３月31日）金額（百万円）前年同期比（％）半導体製造装置事業208,781103.0 （注）１．金額は販売価格によっております。 ｂ．受注実績当社グループは半導体製造装置事業のみの単一セグメントであり、当連結会計年度の受注実績は次のとおりであります。セグメントの名称当連結会計年度（自 2025年４月１日至 2026年３月31日）受注高（百万円）前年同期比（％）受注残高（百万円）前年同期比（％）半導体製造装置事業264,277117.5164,806121.5 ｃ．販売実績当連結会計年度の販売実績は次のとおりであります。なお、当社グループは半導体製造装置事業のみの単一セグメントであるため、製品・サービス別の販売実績を示しております。区分当連結会計年度（自 2025年４月１日至 2026年３月31日）販売高（百万円）前年同期比（％）製品139,95085.2サービス95,129127.4合計235,07998.4 （注）１． 最近２連結会計年度の主な相手先別の販売実績及び当該販売実績の総販売実績に対する割合は次のとおり であります。相手先前連結会計年度（自 2024年４月１日至 2025年３月31日）当連結会計年度（自 2025年４月１日至 2026年３月31日）金額（百万円）割合（％）金額（百万円）割合（％）Samsung Electronics Co., Ltd.31,80613.351,25821.8Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.30,82712.931,49513.4CXMT Corporation48,75920.4－(注２)－(注２) （注）２． 当連結会計年度において連結売上収益の10％未満であるため、記載を省略しております。 (2）経営者の視点による経営成績等の状況に関する認識及び分析・検討内容 ① 重要性がある会計方針及び見積り当社グループの連結財務諸表は、IFRSに基づき作成しております。連結財務諸表の作成にあたって、過去の実績や状況を踏まえ、合理的と考えられるさまざまな要因を考慮した上で、見積り及び判断を行っておりますが、見積り特有の不確実性があるため、実際の結果はこれらの見積りと異なる場合があります。詳細は、「第５ 経理の状況 １ 連結財務諸表等 (1）連結財務諸表 連結財務諸表注記 ３．重要性がある会計方針」及び「同 ４．重要な会計上の見積り及び判断」をご参照ください。 ② 経営成績等の状況に関する分析・検討内容（売上収益）半導体デバイス市場では前期に引き続きAI関連の需要が半導体デバイスメーカーの投資を牽引しており、生成AI用途の高性能Logic、DRAMを中心にデバイスの世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資が高水準で推移し、NANDでも主にデバイスの世代交代に向けた設備投資が進んでおります。こうした状況において、NAND向け装置販売に加え、主にDRAM向けのアップグレード改造が伸長したことにより当社の装置売上収益は1,400億円（前期比85.2％）となりました。また、サービス売上収益は951億円（前期比127％）となり、前期に活発だった中国でのDRAM向け設備投資が落ちついた影響により売上収益全体では、2,351億円（前期比98.4％）となりました。 （営業利益）売上収益の減少により売上総利益が減少しました。また、中長期的な成長に向けた研究開発費等の販売費及び一般管理費の増加により、営業利益は418億円（対売上収益比率17.8％）となりました。 （税引前利益）長期借入金の利息支払い等金融費用の発生（15億円）等により、当連結会計年度の税引前利益は407億円（対売上収益比率17.3％）となりました。 （親会社の所有者に帰属する当期利益）法人所得税費用が106億円計上となり、親会社の所有者に帰属する当期利益は301億円（対売上収益比率12.8％）となりました。 財政状態及びキャッシュ・フローの状況に関する認識及び分析・検討内容については、「 (1）経営成績等の状況の概要 ① 財政状態及び経営成績の状況」及び「 (1）経営成績等の状況の概要 ② キャッシュ・フローの状況」に記載しております。 ③ 資本の財源及び資金の流動性について当社グループでは、運転資金については、内部留保により調達することを基本としております。設備資金については、案件の都度、手持ち資金でまかなえるか、又は長期借入金にて調達するかを検討しており、必要に応じて外部からの資金調達を行うこととしております。なお、子会社の資金調達については、グループ資金の効率性

１ 【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】文中における将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであります。 (1）企業理念当社グループは、ステークホルダーの皆様との対話をより一層深め、技術で未来を支えていく決意を込めた企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を掲げております。 (2）経営方針当社グループは、企業理念の実現に向け、半導体製造装置メーカーとして社会的責任を強く自覚し、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざしてまいります。 (3）経営戦略当社グループは、半導体製造プロセスの前工程における「成膜」工程に注力しており、バッチ成膜装置、枚葉プラズマトリートメント(膜質改善)装置で世界トップクラスのシェアを有しております。近年、半導体デバイスの進化に伴う多層化、微細化、複雑化、三次元化により、高品質な薄膜等を形成する高度な技術が必要とされています。これに対して当社グループは、難易度の高い成膜と高い生産性を両立するバッチALD（注１）技術や、高い生産性を維持しつつ形成された薄膜の膜質を改善するプラズマトリートメント技術を生かした高付加価値製品の販売拡大や研究開発に注力し、事業拡大を図ってまいります。また、装置のライフサイクル全体にわたって、メンテナンスや修理、部品供給、移設・改造などお客様のニーズに合わせたサービスの拡充を図るとともに、今後の需要拡大に対応するための生産体制及び開発体制の拡充、DXを活用した生産効率向上にも注力してまいります。ESGの取り組みでは、設定した５つのマテリアリティに基づき、社会課題及び環境課題に向けた活動を推進してまいります。また、ディスクロージャーポリシーに則り、ステークホルダーの皆様と積極的に対話を行ってまいります。（注１）当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。 (4）中期計画当社グループは、2024年６月に中期経営計画を策定し、WFE（Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場）の市場規模および市場成長を前提として中期目標を設定いたしまた。その後、市場環境が大きく変化したことから、2026年５月に見直しを行い、2029年３月期までに当社グループの売上収益3,300億円以上、調整後営業利益率30％以上を達成することを目標としております。また、資本コストを意識しながら中長期的な視点で資本収益性を向上させるため、WACC（Weighted Average Cost of Capital：加重平均資本コスト）を上回るROIC（Return on Invested Capital：投下資本利益率）およびROE（Return on Equity：自己資本利益率）の目標を設定しています。詳細は、当社ウェブサイトに掲載の「2026年３月期（2025年４月～2026年３月）決算説明資料」（URL:https://www.kokusai-electric.com/ir）にて公開しております。 (5）経営環境半導体製造装置市場に大きく影響する半導体デバイス市場の規模は、2016年の約3,500億ドルに対し、2022年には約6,100億ドルと1.7倍へ拡大しており、2023年から2030年まで年平均成長率14.5％で成長することが予想されております（注１）。半導体デバイス市場拡大の背景には、スマートフォンやパソコン等の電子機器の需要拡大や、AI、IoT、DX等の拡がりによるデータセンターの拡充や環境負荷低減への投資（GX）等の産業向けの需要拡大、主要国による産業支援策があります。足元の世界経済は、緩やかな成長基調にあるものの、依然として先行きに対する不透明な状況が続いており、スマートフォンやパソコン等の電子機器向け及び自動車・産業機器向けの需要回復は緩やかな動きになっています。しかしながら半導体デバイス市場では、生成AIの普及等を背景に先端DRAMに対する需要が増加しており、2025年以降需要が本格回復し、さらに2029年に向けて技術革新の継続・加速的により再び成長基調へ進むものと期待しています（注２）。半導体製造装置市場は2016年の約370億ドルに対し、2022年には約980億ドルと2.6倍以上へ拡大しており、2023年から2030年まで年平均成長率9.9％で成長することが予想されております（注２）。足元では先端DRAM、先端ノード向けLogic/Foundry向けの設備投資が加速しており、NANDも2025年に入り回復の兆しが見られ、今後半導体デバイスの需要回復に伴って半導体製造装置の需要も回復するものと見ております。中長期的には、半導体デバイスの微細化、構造の複雑化、三次元化が進む中で、難易度の高い成膜と高い生産性を両立することのできる半導体製造装置へのニーズが高まると考えております。 （注１）出典：TechInsights Inc. Semiconductor Forecast (March 26)（注２）出典：TechInsights Inc. WAFER FAB EQUIPMENT (WFE) MARKET HISTORY AND FORECAST (2020 – 2031) (March 2026) 半導体デバイス／半導体製造装置の世界市場規模（単位：十億ドル） 2016年2022年2023年2030年（予想）半導体デバイスの世界市場規模355.4613.7558.61,441.3半導体製造装置の世界市場規模37.098.199.4192.0出典：TechInsights Inc. Semiconductor Forecast (March 2026)出典：TechInsights Inc. WAFER FAB EQUIPMENT (WFE) MARKET HISTORY AND FORECAST (2020 – 2031) (March 2026) (6）事業上及び財務上の対処すべき課題当社グループを取り巻く事業環境は、AI関連の需要が半導体デバイスメーカーの投資を牽引しており、特に生成AIの活用拡大に伴うデータセンター用サーバー向けの需要が拡大しています。これを受けて、半導体デバイス市場では、生成AI用途の高性能Logic、DRAMを中心にデバイスの世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資が高水準で推移し、NANDでも主にデバイスの世代交代に向けた設備投資が進んでいます。一方で、スマートフォンやパソコン等の民生電子機器向け及び自動車・産業機器向けの需要回復は緩やかであり、AI関連とは異なった需要の動きになっています。中長期的には、民生電子機器の需要回復・拡大に加え、AI、IoT、DX等の拡がりによるデータセンターのさらなる拡充やグリーントランスフォーメーションへの投資等により、半導体関連市場は大きな成長が見込まれています。こうした状況をふまえ、当社グループは、前述の経営戦略に基づき、以下の重点施策を推進してまいります。 ① イノベーションによる高付加価値製品の継続的な創出とお客様のニーズを的確に捉えた開発体制の強化今後加速されることが予測されるお客様の先端デバイス開発スピードに応えるため、イノベーションを創出し、難易度が高い成膜技術等を用いた当社が有する高付加価値製品の開発をさらに推進してまいります。この推進体制の一環として、韓国生産拠点のデモ評価エリアの拡張及び横浜テクノロジーセンタの設置を既に実施しており、また、今後米国デモセンターの新設（2027年1月操業）を予定しております。 ② イノベーションを創出し続ける企業文化の形成と技術と対話を通じたお客様への提案力の強化これまで当社がNAND分野で培ってきたバッチALD（注１）やプラズマトリートメント（膜質改善）をはじめとする先端プラットフォーム・プロセス技術を、Logic/Foundry分野及びDRAM分野へと展開いたします。また、新分野への挑戦を加速させるため、アドバンスドパッケージ分野への取組みも継続して強化してまいります。このように、イノベーションを創出し続ける企業文化を当社グループ全体に根づかせ、今後も、コーポレートスローガンである「技術と対話で未来をつくる」に則り、対話を通じてお客様が抱える課題を深く理解し、技術を通じてその課題に対する解決策を積極的に提案してまいります。 ③ サービスビジネスのさらなる拡大当社製品のライフサイクル全体でお客様のニーズに合わせたサービスを提供するため、部品販売・メンテナンスをはじめとする、当社グループ全体でのオペレーションの最適化を推進し、持続的な成長をめざしてまいります。 ④ グループ運営モデルの刷新による経営効率化の実行お客様のグローバル展開の進展に伴い当社グループの一体運営強化の必要性が増していることから、当社グループ運営モデルを刷新し、地域間連携と手法統一を実行して経営の効率化を図ります。また、営業、設計、調達、生産及びサービス業務の全体最適を目的として、生産管理や顧客管理等のシステムの統合を含むＤＸの推進を加速してまいります。 ⑤ 多様な人財が活躍できる職場環境づくり当社グループが持続的に成長・発展していくために、従業員一人一人の多様性を生かした新たな価値創出の機会を積極的に設け、その能

（重要な会計上の見積り） (1）繰延税金資産及び繰延税金負債 ① 当事業年度計上額 （単位:百万円） 前事業年度当事業年度繰延税金資産－－（前事業年度における繰延税金負債との相殺前の金額は7,675百万円であり、当事業年度における繰延税金負債との相殺前の金額は7,989百万円であります。） ② 識別した項目に係る重要な会計上の見積りの内容に関する情報 連結財務諸表注記「４.重要な会計上の見積り及び判断」に同一の記載をしているため、注記を省略しております。

５ 【重要な契約等】 (1）借入契約当社は2025年３月27日付で、既存借入金のリファイナンスを目的として、株式会社三井住友銀行をエージェントとする金銭消費貸借契約を締結し、借入を実行しております。主な契約内容は以下のとおりであります。詳細は、「第５ 経理の状況 １ 連結財務諸表等 (1) 連結財務諸表 連結財務諸表注記 13. 借入金」をご参照ください。１ 契約の相手先株式会社三井住友銀行、株式会社三菱UFJ銀行、株式会社みずほ銀行、三井住友信託銀行株式会社及び株式会社日本政策投資銀行２ 借入金額総額60,000百万円（2026年３月末残高48,000百万円）３ 借入枠コミットメントライン 30,000百万円４ 返済期限2025年９月末より６ヶ月ごとに返済（最終返済日2030年３月29日）５ 金利基準金利（全銀協 TIBOR 運営機関が公表する日本円TIBOR）＋スプレッド６ 担保の有無無し７ 主な借入人の義務 財務制限条項の遵守

３ 【配当政策】当社は、研究開発投資・設備投資の強化を最優先に、将来の事業展開のために必要な内部留保を確保しつつ、株主の皆様に対する安定的・継続的かつ積極的な利益還元を行うことを経営の重要課題と考え、連結配当性向20％から30％程度を目安に剰余金の配当を行っていくことを予定しております。加えて、ネットキャッシュ（注１）がプラスに転換した後は、さらなる株主利益と資本効率の向上に向け、有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー（注２）の70％程度に相当する金額を配当及び自己株式取得に充当することをめざしてまいります。また自己株式については、消却を原則とし、株式報酬制度等により活用が見込まれる発行済株式総数の１％を上限に保有する方針といたします。 （注１）ネットキャッシュ＝現金及び現金同等物－有利子負債（注２）有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー＝営業活動によるキャッシュ・フロー ＋ 投資活動によるキャッシュ・フロー－有利子負債の分割償還額 当社は、毎年３月31日を基準日とした期末配当、毎年９月30日を基準日とした中間配当のほか、基準日を定め剰余金の配当をすることができる旨を定款に定めております。また、会社法第459条第１項各号に定める事項については、法令に特段の定めがある場合を除き、取締役会の決議によって剰余金の配当を行うことができる旨を定款に定めており、剰余金の配当を行う場合は、期末配当及び中間配当の年２回を基本方針としております。（注） 基準日が当事業年度に属する剰余金の配当は、以下のとおりであります。決議年月日配当金の総額（百万円）１株当たり配当額（円）2025年11月11日4,20218取締役会2026年５月13日4,43819取締役会